[发明专利]光电半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201310085002.0 | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN103219415A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 吕志强;三晓蕙;彭韦智 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了光电半导体装置及其制造方法。本发明的一技术方案提供一种光电半导体装置,其包含:一半导体系统,具有数个侧表面、一上表面和一下表面;一界面层,位于该下表面和所述侧表面上;数个电性接点,具有不全然相同的高度,并插入该界面层中以电连接至该半导体系统;以及一导电体,位于所述电性接点之下。本发明的一技术方案还提供了光电半导体装置的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 光电 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电半导体装置的制造方法,包含:形成一半导体系统于一暂时基板上;形成一界面层于该半导体系统上方及其数个侧表面上;准备数个电性接点;使所述电性接点插入该界面层中以电连接至该半导体系统;以及移除该暂时基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的