[发明专利]光电半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310085002.0 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN103219415A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 吕志强;三晓蕙;彭韦智 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了光电半导体装置及其制造方法。本发明的一技术方案提供一种光电半导体装置,其包含:一半导体系统,具有数个侧表面、一上表面和一下表面;一界面层,位于该下表面和所述侧表面上;数个电性接点,具有不全然相同的高度,并插入该界面层中以电连接至该半导体系统;以及一导电体,位于所述电性接点之下。本发明的一技术方案还提供了光电半导体装置的制造方法。
搜索关键词: 光电 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光电半导体装置的制造方法,包含:形成一半导体系统于一暂时基板上;形成一界面层于该半导体系统上方及其数个侧表面上;准备数个电性接点;使所述电性接点插入该界面层中以电连接至该半导体系统;以及移除该暂时基板。
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