[发明专利]图案化的线端空间有效
申请号: | 201310084128.6 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN103915373A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 李佳颖;谢志宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种或多个种形成线端空间结构的系统。在一些实施例中,在第一HM区域之上形成第一图案化的第二硬掩模(HM)区域。在一些实施例中,在第一图案化的第二HM区域或第一HM区域中的至少一个之上形成第一牺牲HM区域和第二牺牲HM区域。在第二牺牲HM区域之上图案化光刻胶(PR),而且在PR和第二牺牲HM区域之上沉积隔离件区域。在一些实施例中,隔离件区域、PR或哥哥牺牲HM中的至少一个的至少一些被去除。相应地,第一图案化的第二硬掩模(HM)区域被图案化,由此形成了与端到端空间相关的线端空间结构。本发明还提供了一种图案化的线端空间。 | ||
搜索关键词: | 图案 空间 | ||
【主权项】:
一种用于形成线端空间结构的方法,包括:基于第一图案化的第一光刻胶(PR)区域形成与第一图案位置相关的第一图案化的第二硬掩模(HM)区域;在所述第一图案化的第二HM区域或第一HM区域中的至少一个的至少一些之上形成第一牺牲HM区域;在至少一些所述第一牺牲HM区域之上形成第二牺牲HM区域;在至少一些所述第二牺牲HM区域之上形成第一图案化的第二PR区域或第二图案化的第二PR区域中的至少一个,所述第一图案化的第二PR区域与第一线位置相关,所述第二图案化的第二PR区域与第二线位置相关;在所述第一图案化的第二PR区域、所述第二图案化的第二PR区域或所述第二牺牲HM区域中的至少一个的至少一些之上形成隔离件区域;以及去除至少一些所述第一图案化的第二HM区域。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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