[发明专利]图案化的线端空间有效

专利信息
申请号: 201310084128.6 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN103915373A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 李佳颖;谢志宏 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种或多个种形成线端空间结构的系统。在一些实施例中,在第一HM区域之上形成第一图案化的第二硬掩模(HM)区域。在一些实施例中,在第一图案化的第二HM区域或第一HM区域中的至少一个之上形成第一牺牲HM区域和第二牺牲HM区域。在第二牺牲HM区域之上图案化光刻胶(PR),而且在PR和第二牺牲HM区域之上沉积隔离件区域。在一些实施例中,隔离件区域、PR或哥哥牺牲HM中的至少一个的至少一些被去除。相应地,第一图案化的第二硬掩模(HM)区域被图案化,由此形成了与端到端空间相关的线端空间结构。本发明还提供了一种图案化的线端空间。
搜索关键词: 图案 空间
【主权项】:
一种用于形成线端空间结构的方法,包括:基于第一图案化的第一光刻胶(PR)区域形成与第一图案位置相关的第一图案化的第二硬掩模(HM)区域;在所述第一图案化的第二HM区域或第一HM区域中的至少一个的至少一些之上形成第一牺牲HM区域;在至少一些所述第一牺牲HM区域之上形成第二牺牲HM区域;在至少一些所述第二牺牲HM区域之上形成第一图案化的第二PR区域或第二图案化的第二PR区域中的至少一个,所述第一图案化的第二PR区域与第一线位置相关,所述第二图案化的第二PR区域与第二线位置相关;在所述第一图案化的第二PR区域、所述第二图案化的第二PR区域或所述第二牺牲HM区域中的至少一个的至少一些之上形成隔离件区域;以及去除至少一些所述第一图案化的第二HM区域。
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