[发明专利]一种去除晶圆残留溴化氢的装置及方法无效
| 申请号： | 201310081926.3 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103219223A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 邵克坚;彭国发 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B5/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体设备制造领域，具体涉及一种去除晶圆残留溴化氢的装置及方法，在晶圆冷却腔内正中央的冷却台正上方设置一喷淋管，同时在冷却台的正下方设置一排气管，喷淋管的开口端朝下且该喷淋管的开口形状为网格状，喷淋管可向正下方的冷却台均匀喷洒高温氮气以汽化晶圆表面残留的溴化氢，并通过不断流动的高温氮气带动汽化后的溴化氢产生其他流动，并通过冷却台正下方的酸排气管将汽化后的溴化氢和氮气排出冷却腔。本发明可很好地去除晶圆表面残留的溴化氢，减少产品缺陷的机率，提高了晶圆的生产工艺，同时成本较低，延长了设备的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 残留 溴化氢 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种去除晶圆残留溴化氢的装置，包括设置在一冷却腔内的晶圆冷却台，其特征在于，所述冷却腔上设置有一喷洒气体的装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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