[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201310081025.4 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN103367202A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 桝原弘史;新居健一郎;宫城雅宏;远藤亨 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种处理基板的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具有:第一处理液供给部,其向基板的上表面的中央部供给第一处理液;基板旋转机构,其使基板旋转;气体供给部及抽吸部,其变更腔室的内部空间的压力。在基板处理装置中,在使腔室的内部空间处于减压环境的状态下,通过一边使基板旋转,一边向基板的上表面供给第一处理液,来使第一处理液在上表面上从中央部向外周部快速扩散。由此,与在常压下相比,能够在更短的时间内利用第一处理液覆盖基板的上表面。另外,利用抽吸部来从基板的边缘附近抽吸第一处理液,由此能够在更短的时间内利用第一处理液覆盖基板的上表面。其结果,能够缩短处理基板所需的时间。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,具有:基板保持部,其在使基板的主面朝向上侧的状态下保持所述基板;处理液供给部,其向所述基板的所述主面的中央部供给处理液;基板旋转机构,其使所述基板与所述基板保持部一起旋转;腔室,其在内部空间容置所述基板保持部;压力变更部,其变更所述腔室的所述内部空间的压力;控制部,其通过对所述处理液供给部、所述基板旋转机构及所述压力变更部进行控制,来在使所述腔室的所述内部空间处于减压环境的状态下,一边使所述基板旋转,一边向所述主面供给所述处理液,由此利用所述处理液覆盖所述主面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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