[发明专利]一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法有效
| 申请号： | 201310080414.5 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103173855A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 季泳;张龚磊 | 申请（专利权）人： | 贵阳嘉瑜光电科技咨询中心 |
| 主分类号： | C30B27/00 | 分类号： | C30B27/00;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550004 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法，它包含以下步骤：（1）将晶体放入晶体生长炉内；（2）密封晶体生长炉内并进行真空处理直至炉内真空度达到5-10毫托；（3）往晶体生长炉中缓慢充入HE和AR的体积比为1:1.5-3的HE-AR惰性混合气体排杂；（4）采用加热器对晶体生长炉开始加热，进行HEM晶体生长，炉内温度始终不低于2000℃，在晶体生长过程中，持续充入HE-AR惰性混合气体直至晶体生长完成。本发明的有益效果是：利用HE-AR惰性混合气体实现了HEM晶体生长，晶体的生长效果好，规避了国际上氦气供应的问题，同时节约了生产成本，减少了采购风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 惰性气体 保护 hem 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法，其特征在于：它包含以下步骤：（1）、将晶体放入晶体生长炉内；（2）、密封晶体生长炉内并进行真空处理直至炉内真空度达到5‑10毫托；（3）、往晶体生长炉中缓慢充入HE和AR的体积比为1:1.5‑3的HE‑AR惰性混合气体排杂；（4）、采用加热器对晶体生长炉开始加热，进行HEM晶体生长，炉内温度始终不低于2000℃，在晶体生长过程中，持续充入HE‑AR惰性混合气体直至晶体生长完成。
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