[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201310077674.7 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104051212A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;韦刚 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种等离子体处理装置，涉及微机电加工领域，解决了使用现有等离子体处理装置对晶片进行刻蚀时由于晶片边缘和晶片中心的等离子体密度不一致导致的晶片边缘的刻蚀深度与晶片中心的刻蚀深度不一致的问题。本发明实施例的等离子体处理装置包括反应室及设置于所述反应室内的待处理晶片，其中，所述装置还包括设置在所述反应室内的喷射单元，用于根据工艺气体被离化后的等离子体在所述待处理晶片上的分布特点，向所述待处理晶片上方、待补充等离子体的区域喷射等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，包括反应室及设置于所述反应室内的待处理晶片，其特征在于，所述装置还包括设置在所述反应室内的喷射单元，用于根据工艺气体被离化后的等离子体在所述待处理晶片上的分布特点，向所述待处理晶片上方、待补充等离子体的区域喷射等离子体。
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