[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

提供半导体装置的制造方法。提供一种使用简单并且控制性良好的工序的沟槽MOSFET的制造方法，所述沟槽MOSFET能够与CMOS晶体管形成在同一衬底上，可以缩小元件面积。是如下所述的沟槽MOSFET的制造方法通过形成三维的体接触区域，即便采用更小的面积，也具有能够确保与以往同样的接触的结构。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括以下工序：在第1导电型的半导体衬底上形成第2导电型的埋层；在所述埋层上形成第2导电型的外延层；从所述第2导电型的外延层的表面到一定的深度，形成第1导电型的体区域；除去构成所述体区域的表面的半导体材料，在凸型触点区域的周围形成浅沟槽；形成从所述浅沟槽的表面的一部分到所述第2导电型的外延层内的深沟槽区域；在所述深沟槽区域的内壁形成栅绝缘膜；与所述栅绝缘膜相接地由多晶硅填充所述深沟槽区域内；在所述体区域的表面的所述浅沟槽内形成第2导电型的源区域；在所述体区域的表面的所述凸型触点区域形成第1导电型的体接触区域；以及形成连接所述源区域和所述体接触区域的硅化物层，所述凸型触点区域的表面全部是所述体接触区域，与所述源区域的表面一起被所述硅化物层覆盖。