[发明专利]多晶硅电阻结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310074770.6 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN104037173B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 廖淼;陈芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多晶硅电阻结构及其形成方法，所述多晶硅电阻结构包括基底，位于所述基底上的具有电阻负温度系数的多晶硅电阻，与所述多晶硅电阻两端电连接的金属电极，位于所述多晶硅电阻中间位置表面的具有电阻正温度系数的金属散热结构，且所述金属散热结构与金属电极相隔离，使得温度变化时所述多晶硅电阻结构的总阻值变化幅度降低。由于多晶硅电阻产生的热量可以通过金属散热结构进行散热，有利于降低多晶硅电阻结构工作时温度的变化幅度，从而降低多晶硅电阻结构的总阻值随温度变化的变化值。且所述具有电阻正温度系数的金属互连结构也可以降低多晶硅电阻结构的总阻值随温度变化的变化值，也有利于提高多晶硅电阻结构的电阻值的温度稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电阻结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底上的具有电阻负温度系数的多晶硅电阻，与所述多晶硅电阻两端电连接的金属电极，位于所述多晶硅电阻中间位置表面的具有电阻正温度系数的金属散热结构，且所述金属散热结构与金属电极相隔离，使得温度变化时所述多晶硅电阻结构的总阻值变化幅度降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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