[发明专利]一种原子层沉积设备无效
申请号: | 201310072067.1 | 申请日: | 2013-03-07 |
公开(公告)号: | CN103114277A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | 赵万顺;张峰;王雷;曾一平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种原子层沉积的设备,其是由盖板和主体腔室构成的可开闭的封闭腔室;所述盖板内表面设置有气路单元,所述气路单元包括多个气流通道,所述多个气流通道通过间隔层相间隔,且每个所述气流通道与盖板的外表面上设置的多个气孔相连通;所述主体腔室包括可旋转承载盘和传动系统,所述传动系统带动所述可旋转承载盘进行旋转,所述可旋转承载盘上设置有放置晶片的凹槽;其中,所述多个气流通道至少包括第一气流通道和第二气流通道,所述第一气流通道用于通入反应源气体,所述第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出。该设备能够提高原子层外延的速度,节省单项工艺时间。通过提高承载盘的转速,可以提高原子层外延的生长速率。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种原子层沉积设备,其是由盖板和主体腔室构成的可开闭的封闭腔室;所述盖板内表面设置有气路单元,所述气路单元至少包括第一气流通道和第二气流通道,且所述第一气流通道和第二气流通道通过间隔层相间隔,且每个所述气流通道均有气孔与外部相连;所述主体腔室包括可旋转承载盘和传动系统,所述传动系统带动所述可旋转承载盘进行旋转,所述可旋转承载盘上设置有放置晶片的凹槽。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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