[发明专利]基于苯并二噻吩和苯并三噻吩的半导体共轭聚合物及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于苯并二噻吩和苯并三噻吩的半导体共轭聚合物及其制备方法。该共轭聚合物结构式为：其中，R₁为C₈-C₂₀烷烃链；R₂为C₇-C₁₉烷烃链，n≥1。该制备方法为以苯并二噻吩双锡单体，苯并三噻吩双溴单体在Stille反应条件下共聚反应，得到全共轭聚合物。本发明是结合苯并二噻吩和苯并三噻吩这两种单元的优点，提供一种可溶性的基于这两种单元的半导体共轭聚合物，本发明的半导体共轭聚合物具有新颖的刚性平面的大π共轭的可溶的苯并二噻吩和苯并三噻吩单元和柔性促溶的烷基链，是可溶液加工的共轭聚合物。本发明分子设计合理，聚合物具有好的分子排列，有望得到高的载流子迁移率并应用于有机光电领域。

主权项

1.一种基于苯并二噻吩和苯并三噻吩的半导体共轭聚合物 ，其特征在于，所述聚合物的结构式为：    其中，R1为C₈ - C₂₀烷烃链；R₂为C₇ - C₁₉烷烃链，n≥1。