[发明专利]铜互连结构及铜互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201310069905.X | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104037160B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铜互连结构及铜互连结构的制作方法。所述铜互连结构包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一层间介质层；贯穿所述第一层间介质层的铜插塞；位于所述第一层间介质层上的第二层间介质层；贯穿所述第二层间介质层的铜互连线；所述第一层间介质层与所述铜互连线之间具有第一保护层，所述第二层间介质层与所述铜互连线之间具有第二保护层。本发明提供的铜互连结构中，铜互连线与第一层间介质层之间包括第一保护层，铜互连线与第二介质层之间包括第二保护层，从而避免了铜互连线与第一层间介质层和第二层间介质层直接接触，防止第一层间介质层和第二层间介质层被铜互连线压裂。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁和底部形成保护层，所述第一沟槽减小为第二沟槽；在所述第二沟槽中形成填充层，所述填充层的上表面与所述层间介质层的上表面齐平；形成从上至下依次贯穿所述填充层、所述保护层和所述层间介质层的通孔；去除剩余的所述填充层，形成第三沟槽；在所述第三沟槽和所述通孔填充铜金属。
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