[发明专利]一种新型硅基低阻电感结构及其晶圆级封装方法

摘要

本发明涉及一种新型硅基低阻电感结构及其晶圆级封装方法，属于半导体封装技术领域。其在硅晶圆（100）上表面刻蚀形成线圈槽（102），在线圈槽（102）内涂布绝缘层（300），然后通过物理方法沉积电镀种子层（300）、光刻图形化和电镀工艺在线圈槽（102）内形成厚铜金属布线层（400），即电感线圈，最后在其上设置再钝化层（500）和金属引线（600），且所述金属布线层（400）通过再钝化层开口（501）与金属布线层（400）连通。本发明将作为电感线圈的铜质金属布线层埋入硅基本体的内部，降低了制备电感线圈的工艺难度和工艺成本，提升了封装密度，同时通过增大线圈的厚度降低了电感的直流电阻，提升了电感的品质因数。

主权项

一种新型硅基低阻电感结构，包括硅基本体（101），其特征在于：所述硅基本体（101）上设有下凹的线圈槽（102），所述线圈槽（102）的底部、侧壁和硅基本体（101）的上表面涂覆绝缘层（200），所述线圈槽（102）内部的绝缘层（200）上设置电镀种子层（300），设置电镀种子层（300）的线圈槽（102）内设置金属布线层（400），所述金属布线层（400）上表面和裸露的绝缘层（200）上涂覆再钝化层（500），并在金属布线层（400）的上表面形成再钝化层开口（501），所述再钝化层（500）上设置金属引线（600），所述金属引线（600）的一端填充再钝化层开口（501），另一端沿再钝化层（500）向电感外围延伸。