[发明专利]用于三轴磁传感器的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310060923.1 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103178206B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 熊磊;奚裴;张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于三轴磁传感器的刻蚀方法，包括在衬底上形成氧化物层，在氧化物层中形成沟槽，在氧化物层上依次形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层，以在沟槽中也形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层的叠层；在氮化钽层上形成沟槽填充材料层，使得沟槽中完全填充有沟槽填充材料；在沟槽填充材料层上形成深紫外光刻胶，并且形成深紫外光刻胶的图案，从而留下与沟槽一侧的侧壁位置相对应的深紫外光刻胶部分；利用深紫外光刻胶部分作为掩膜对沟槽填充材料层进行刻蚀，从而留下与深紫外光刻胶部分相对应的沟槽填充材料部分；利用深紫外光刻胶部分和沟槽填充材料部分作为掩膜对氮化钽层进行刻蚀，从而留下覆盖有深紫外光刻胶部分的沟槽侧壁上的氮化钽部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三轴磁 传感器 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于三轴磁传感器的刻蚀方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上形成氧化物层，随后在氧化物层中形成沟槽，此后在形成沟槽的氧化物层上依次形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层，从而在沟槽中也形成氮化硅层、镍铁合金层和氮化钽层的叠层；第二步骤：在氮化钽层上形成沟槽填充材料层，从而使得沟槽中完全填充有沟槽填充材料；第三步骤：在沟槽填充材料层上形成深紫外光刻胶，并且形成深紫外光刻胶的图案，从而留下与沟槽一侧的侧壁位置相对应的深紫外光刻胶部分；第四步骤：利用深紫外光刻胶部分作为掩膜对沟槽填充材料层进行刻蚀，从而留下与深紫外光刻胶部分相对应的沟槽填充材料部分；第五步骤：利用深紫外光刻胶部分和沟槽填充材料部分作为掩膜对氮化钽层进行刻蚀，从而留下覆盖有深紫外光刻胶部分的沟槽侧壁上的氮化钽部分。
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