[发明专利]氮化物半导体的制造方法有效
| 申请号： | 201310057414.3 | 申请日： | 2013-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103311096A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章;今野泰一郎;松田三智子 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种生长的重现性高、能抑制氮化物半导体层的结晶性劣化且缩短制造时间的氮化物半导体的制造方法。该氮化物半导体的制造方法具备如下工序：在生长装置内安装由蓝宝石或碳化硅构成的衬底基板的准备工序、在所述生长装置内安装有所述衬底基板的状态下清洗所述生长装置内部的清洗工序、以及在所述清洗工序之后连续地在所述衬底基板上依次生长缓冲层和氮化物半导体层的生长工序，在900℃以上1200℃以下的温度范围内实施所述清洗工序，在900℃以上的温度范围内实施所述生长工序中的所述缓冲层的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体的制造方法，其特征在于，具备如下工序：在生长装置内安装由蓝宝石或碳化硅构成的衬底基板的准备工序、在所述生长装置内安装有所述衬底基板的状态下清洗所述生长装置内部的清洗工序、以及在所述清洗工序之后连续地在所述衬底基板上依次生长缓冲层和氮化物半导体层的生长工序，在900℃以上1200℃以下的温度范围内实施所述清洗工序，在900℃以上的温度范围内实施所述生长工序中的所述缓冲层的生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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