[发明专利]导电膜基板、具有该基板的光伏电池及制造该基板的方法有效
| 申请号： | 201310055437.0 | 申请日： | 2013-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103258866A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 金序炫;尹根尚;李铉熙;刘泳祚 | 申请（专利权）人： | 三星康宁精密素材株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种导电膜基板、具有该基板的光伏电池及制造该基板的方法。该导电膜基板包括基底基板和在基底基板上形成的透明导电膜。该透明导电膜为具有同时形成于其表面上的第一纹理结构和第二纹理结构的氧化锌薄膜。第二纹理结构小于第一纹理结构。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 膜基板 具有 电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电膜基板，包括：基底基板；和在所述基底基板上形成的透明导电膜，其中，所述透明导电膜为具有同时形成于其表面上的第一纹理结构和第二纹理结构的氧化锌薄膜，所述第二纹理结构小于所述第一纹理结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
