[发明专利]含有室温铁磁性的PbxPdO2块体材料及制备方法有效
| 申请号： | 201310055113.7 | 申请日： | 2013-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103130494A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 苏海林;吴玉程;黄荣俊;黄舜渔;黄贤良;金智渊 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学;北京三星通信技术研究有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622 |
| 代理公司： | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人： | 林飞 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 针对现有技术无法制备含有室温铁磁性的PbxPdO2块体材料的技术难题，本发明提供一种具有单相体心正交结构、晶格内部存在Pb离子空位的含有室温铁磁性的PbxPdO2块体材料及其制备方法。本发明所提供的PbxPdO2块体材料制备方法的显著特征在于通过选用Pb含量低于正分配比的原料配方以及延长热处理时间，在PbPdO2材料中造成Pb含量的不足从而形成Pb离子空位。本发明能够在无掺杂单相PbxPdO2块体材料中制造出室温铁磁性，且方法简单易行，可为高温铁磁性零禁带半导体的开发提供参考。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 室温 铁磁性 pb sub pdo 块体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
含有室温铁磁性的PbxPdO2块体材料，其特征在于：块体状的PbxPdO2为单相体心正交结构；PbxPdO2的晶格内部存在Pb离子空位，Pb的x值在0.908至0.980之间；在300K，PbxPdO2仍呈现饱和磁化趋势与磁滞行为。
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