[发明专利]氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板有效
| 申请号： | 201310054997.4 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103305917A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 松田三智子;藤仓序章;今野泰一郎 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能廉价且高效率地制造与使用有机金属气相生长法的情况同等以上的高品质的氮化镓模板基板的氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板。氮化镓模板基板（10）的制造方法是在作为衬底基板（11）的蓝宝石基板上，通过氢化物气相生长法至少依次生长包含氮化铝（AlN）的成核层（12）和包含氮化镓（GaN）的缓冲层（13），且在生长成核层（12）时使V族原料与III族原料的摩尔比（V/III比）为0.5以上3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 模板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓模板基板的制造方法，其特征在于，其是在蓝宝石基板上，通过氢化物气相生长法至少依次生长包含氮化铝的成核层和包含氮化镓的缓冲层的氮化镓模板基板的制造方法，且在生长所述成核层时使V族原料与III族原料的摩尔比、即V/III比为0.5以上3以下。
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