[发明专利]发光二极管的形成方法有效
| 申请号： | 201310054892.9 | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103199160A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈怡名;徐子杰;陈吉兴;王心盈 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的形成方法，包含提供成长基板，依序形成牺牲层及外延层于成长基板上；形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；形成支撑层于外延层上，支撑层具有一或数个支撑层开口穿透支撑层而连通多个外延层开口；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的形成方法，包含：提供成长基板，具有一或数个基板开口穿透该成长基板；形成牺牲层于该成长基板上；形成外延层于该牺牲层上；提供承接基板与该外延层相接；以及选择性蚀刻该牺牲层而使该成长基板脱离该外延层。
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