[发明专利]栅结构及栅结构的形成方法在审
| 申请号： | 201310054345.0 | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103178098A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 车泰昊;郑圣熙;崔吉铉;金秉熙;朴嬉淑;白宗玟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种栅结构及栅结构的形成方法。该栅结构包括在衬底上的绝缘层，在绝缘层上的第一导电层图案，在第一导电层图案上的金属欧姆层图案，在金属欧姆层图案上的防扩散层图案，在防扩散层图案上的非晶层图案，和在非晶层图案上的第二导电层图案。该栅结构可具有低的薄层电阻和期望的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅结构，包括：在衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上的第一导电层图案；在所述第一导电层图案上的金属欧姆层图案；在所述金属欧姆层图案上的防扩散层图案；在所述防扩散层图案上的非晶层图案；和在所述非晶层图案上的第二导电层图案。
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