[发明专利]微机电系统传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310053119.0 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103991836A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李刚;胡维;肖滨 | 申请（专利权）人： | 苏州敏芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215006 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种微机电系统传感器及其制造方法，包括：S1、提供基片；S2、在基片上形成第一介质层，去除部分第一介质层以形成第一掩膜图形，在基片上进行刻蚀以形成若干第一深孔，将若干第一深孔底部连通以形成第一腔体；S3、去除第一介质层，于基片外延覆盖第一层单晶硅薄膜；S4、在第一层单晶硅薄膜上形成第二介质层，去除部分第二介质层以形成第二掩膜图形，在第一层单晶硅薄膜上进行刻蚀以形成若干第二深孔，将若干第二深孔底部连通以形成第二腔体；S5、去除第二介质层，于第一层单晶硅薄膜上外延覆盖第二层单晶硅薄膜；S6、在第二层单晶硅薄膜上制作电阻应变片；S7、形成第三掩膜图形，进行刻蚀工艺形成若干与第一腔体连接的深槽。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统传感器，包括衬底，其特征在于：所述衬底包括底壁、自所述底壁向上延伸形成的侧壁、由所述底壁和侧壁围设形成的收容腔、收容在所述收容腔内且与所述底壁和侧壁形成空隙的感应本体、以及自所述底壁和侧壁其中一个或多个上朝所述感应本体延伸以支撑所述感应本体的支撑部，所述感应本体包括形成在所述感应本体内呈真空封闭状的第一腔体、位于所述第一腔体上方的感应薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州敏芯微电子技术有限公司，未经苏州敏芯微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310053119.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
