[发明专利]一种二次加料方法有效
| 申请号： | 201310051274.9 | 申请日： | 2013-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103074681A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 司佳勇 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种二次加料方法，应用于单晶硅棒的制备过程，包括：在二次加料器中装入n批硅料，每批硅料包括多个硅料层，且在同一批硅料的多个硅料层中，从底部硅料层到顶部硅料层的硅料的最大直径由小到大；将二次加料器中的硅料投入到硅液中。在对硅液投料过程中，避免了投入的杂质过多，杂质浓度超出范围而出现断棱与析晶等事故；而且避免了直接投入大尺寸的硅料时，出现溅料或者漏硅的情况，使二次加料过程安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次 加料 方法 | ||
【主权项】：
一种二次加料方法，应用于单晶硅棒的制备过程，其特征在于，包括：A、在二次加料器中装入n批硅料，每批硅料包括多个硅料层，且在同一批硅料的多个硅料层中，从底部硅料层到顶部硅料层的硅料的最大直径由小到大；B、将二次加料器中的硅料投入到硅液中。
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