[发明专利]一种多晶金刚石磨料及化学气相沉积(CVD)制作方法有效
申请号: | 201310050879.6 | 申请日: | 2013-02-05 |
公开(公告)号: | CN103132048A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 陈继锋 | 申请(专利权)人: | 廊坊西波尔钻石技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C30B33/00;C30B29/04;C09K3/14 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
地址: | 065300 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明一种多晶金刚石磨料及化学气相沉积(CVD)制作方法,属于超硬材料技术领域。采用化学气相沉积的方法,在金刚石微粉的表面快速生长出含有较多石墨成分的微米或纳米级多晶金刚石;以及以板状的钼、钨、石墨、硅等为基体,快速生长出含有较多石墨成分的微米颗粒或纳米颗粒的多晶金刚石厚片,再将该多晶金刚石厚片破碎、处理、筛选,获得从亚微米级到毫米级各种粒度的多晶体结构的金刚石磨料。该方法制造的多晶金刚石磨料,具有超高锋利度、超高自锐性以及拥有各种粗中细粒度的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 金刚 石磨 料及 化学 沉积 cvd 制作方法 | ||
【主权项】:
种多晶金刚石磨料化学气相沉积(CVD)制作方法,其特征在于含有以下步骤:步骤1;以金刚石微粉为生长基体,金刚石微粉在处理前含有部分石墨成分,采用化学气相沉积的方法,尤其是热丝化学气相沉积法,在金刚石微粉的表面快速生长出含有比例为0.1%‑90%石墨成分的微米或纳米级多晶金刚石层;步骤2;破碎成更细的颗粒,经过处理、筛选等,获得从亚微米级到毫米级各种粒度的金刚石磨料;步骤3;制造成所需要粒度的磨料并净化处理后,该石墨成分会被全部或部分去除,石墨被去除的部位则形成微米或纳米金刚石颗粒间的缝隙和空洞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于廊坊西波尔钻石技术有限公司,未经廊坊西波尔钻石技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310050879.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PCB成型锣板子母型定位台板
- 下一篇:一种气压整形工装
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的