[发明专利]半导体元件及其制造方法与封装构造有效
| 申请号： | 201310050281.7 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165543A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王盟仁 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件及其制造方法与封装构造。所述半导体元件包含：一半导体基材，具有一第一表面、一第二表面及数个导电柱，所述第二表面相对所述第一表面，所述导电柱贯穿所述半导体基材且凸出所述第二表面；一电路层，设于所述半导体基材的第一表面，并电性连接所述导电柱；一金属层，成形于所述导电柱裸露的一顶面上；以及一钝化层，成形于所述半导体基材的第二表面上，所述钝化层为所述金属层的阳极氧化物。所述钝化层厚度薄，制作成本较低且不易发生半导体元件翘曲问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 封装 构造 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于：其包含：一半导体基材，具有一第一表面、一第二表面及数个导电柱，所述第二表面相对所述第一表面，所述导电柱贯穿所述半导体基材且部分凸出所述第二表面而具有一外露的顶面；一电路层，设于所述半导体基材的第一表面，并电性连接所述导电柱；一金属层，成形于所述导电柱的外露顶面上；以及一钝化层，成形于所述半导体基材的第二表面，所述钝化层为所述金属层的阳极氧化物。
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