[发明专利]固体拍摄装置以及照相机有效
| 申请号： | 201310049235.5 | 申请日： | 2013-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103325801A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 井上郁子;马场雅广;佐藤英史;菊地治秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 周春燕;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供固体拍摄装置以及照相机。根据一实施方式，固体拍摄装置具备：具有第1面和与所述第1面相对的第2面的半导体基板；覆盖所述第1面上的元件的绝缘膜；像素阵列，其设置在所述半导体基板内，包括对经由所述第2面侧的透镜照射的光进行光电转换的像素；在所述半导体基板内设置的多个接触区域；1个以上的贯通电极，其在所述多个接触区域的各个内设置，从所述第1面向所述第2面贯通；以及多个第1焊盘，其以与所述各接触区域相对应的方式设置于所述第2面侧，在从所述接触区域向所述像素阵列的第1方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 拍摄 装置 以及 照相机 | ||
【主权项】：
一种固体拍摄装置，包括：具有第1面和与所述第1面相对的第2面的半导体基板；覆盖所述第1面上的元件的绝缘膜；像素阵列，其设置在所述半导体基板内，包括对经由所述第2面侧的透镜照射的光进行光电转换的像素；在所述半导体基板内设置的多个接触区域；1个以上的贯通电极，其在所述多个接触区域的各个内设置，从所述第1面向所述第2面贯通；以及多个第1焊盘，其以与所述各接触区域相对应的方式设置于所述第2面侧，在从所述接触区域向所述像素阵列的第1方向延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310049235.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：商用砧板
- 下一篇：基于PUCCH的small cell发现方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
