[发明专利]一种石墨烯导电薄膜及其在电化学电容器中的应用无效
申请号: | 201310047489.3 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103077766A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 谈述战;杨有财;刘毅;王德禧 | 申请(专利权)人: | 青岛中科昊泰新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00;H01G11/32;C01B31/04;H01M4/02;H01M10/04 |
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地址: | 266326 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种石墨烯导电薄膜及其在电化学电容器中的应用,所述石墨烯导电薄膜包括基材和附着在其上的氧化石墨烯所述石墨烯导电薄膜的生产方法包括以下步骤:a.将氧化石墨烯水溶液涂覆在基材上,所述水溶液浓度为0.1~5mg/mL,涂覆厚度为10~100μm;b.将基材上的涂覆液烘干;c.重复a和b步骤;d.将步骤c得到的基材放入真空室,经过冷却后对氧化石墨烯激光扫描,然后收卷。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 导电 薄膜 及其 电化学 电容器 中的 应用 | ||
【主权项】:
一种石墨烯导电薄膜,包括基材和附着在其上的氧化石墨烯,所述石墨烯导电薄膜的生产方法包括以下步骤:a.将氧化石墨烯水溶液涂覆在基材上,所述水溶液浓度为0.1~5mg/mL,涂覆厚度为10~100μm;b.将基材上的涂覆液烘干; c.重复a和b步骤;d.将步骤c得到的基材放入真空室,经过冷却后对氧化石墨烯激光扫描,然后收卷。
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