[发明专利]制造半导体器件的方法和制造电子组合件的方法有效
| 申请号： | 201310044990.4 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103258751A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 谷元昭;石月义克;佐佐木伸也 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了制造半导体器件的方法和制造电子组合件的方法。制造半导体器件的方法包括：在支承体上设置粘合层；在粘合层上设置半导体元件；在其上设置有半导体元件的粘合层上设置树脂层，并且在粘合层上形成衬底，该衬底包括半导体元件和树脂层；以及从粘合层移除衬底，其中粘合层在移除衬底的方向上的粘附力小于粘合层在形成衬底的平面方向上的粘附力。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 电子 组合 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在支承体上设置粘合层；在所述粘合层上设置半导体元件；在所述粘合层上设置树脂层，所述半导体元件设置在所述粘合层上，并且在所述粘合层上形成衬底，所述衬底包括所述半导体元件和所述树脂层；以及从所述粘合层移除所述衬底，其中所述粘合层的在移除所述衬底的方向上的粘附力小于所述粘合层的在形成所述衬底的平面方向上的粘附力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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