[发明专利]顶面出光率高侧面出光率低的面光源器件无效
申请号: | 201310043704.2 | 申请日: | 2013-02-04 |
公开(公告)号: | CN103972346A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 刘胜;陈飞;王恺 | 申请(专利权)人: | 刘胜 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/46 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 李平 |
地址: | 430074 湖北省武汉市珞*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种顶面出光率高侧面出光率低的面光源器件,包括:基板、半导体层、发光层、电极,其特征在于所述基板的侧面及底面有反光镀层,基板的侧面与底面垂直或基板的侧面倾斜与底面形成一定角度,第一半导体层形成于基板上,发光层形成于第一半导体层上,第二半导体层形成于发光层上,第一电极形成于第一半导体层上,第二电极形成于第二半导体层上。本发明的优点是具有较低的侧面出光率及较高的顶面出光率,更为接近理想的面光源。 | ||
搜索关键词: | 顶面出光率高 侧面 出光率低 光源 器件 | ||
【主权项】:
一种顶面出光率高侧面出光率低的面光源器件,包括:基板、半导体层、发光层、电极,其特征在于所述基板的侧面及底面有反光镀层,基板的侧面与底面垂直或者基板的侧面倾斜与底面成90°至160°的夹角,第一半导体层形成于基板上,发光层形成于第一半导体层上,第二半导体层形成于发光层上,第一电极形成于第一半导体层上,第二电极形成于第二半导体层上。
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