[发明专利]芯片键合方法有效
| 申请号： | 201310041873.2 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103964375B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 黄平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片键合方法，在加热待键合硅片至一定温度后，进行多次气体填充和抽真空的过程，使得芯片本身附着的气体被排出，从而避免键合后空洞的形成，另外，在加热前使用中心定位器固定所述待键合芯片，能够有效的限制芯片的位置偏移，减少了由于温度压强等变动所导致的芯片位置变动，从而大大的改善了芯片键合后的质量，提高了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片键合方法，其特征在于，包括：将待键合芯片设置于加热基板上，使用中心定位器固定所述待键合芯片；加热所述待键合芯片至第一温度；循环多次气体填充和抽真空过程，防止键合偏移现象发生；继续加热所述待键合芯片至第二温度，进行芯片键合。
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