[发明专利]一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构有效
| 申请号： | 201310040780.8 | 申请日： | 2013-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103117744A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李国儒;李云初;戴惜时 | 申请（专利权）人： | 苏州云芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215332 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构，包括三个栅极共连并与控制电压连接的MOS开关管；第二MOS开关管、第三MOS开关管的源极接地，漏极分别与第一MOS开关管的源极和漏极连接，还包括两个MOS电容管，两个MOS电容管的栅极分别连接到第一MOS开关管的源极和漏极；两个MOS电容管的源极共连至地；两个MOS电容管的漏极均接地。本发明通过加入非线性电容补偿电路，很好的补偿了在开关断开时的开关非线性寄生电容对VCO相位噪声的影响。该改进结构在开关全部断开时对压控振荡器的相位噪声性能有良好的改善，并且在开关全部导通时对电路几乎没有影响，可大大提高VCO的高频段相位噪声性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 vco 相位 噪声 性能 新型 开关 结构 | ||
【主权项】：
一种可优化VCO相位噪声性能的新型开关结构，包括三个栅极共连并与控制电压连接的第一MOS开关管、第二MOS开关管、第三MOS开关管；所述第二MOS开关管、第三MOS开关管的源极接地，漏极分别与第一MOS开关管的源极和漏极连接，其特征是，还包括两个MOS电容管，两个MOS电容管的栅极分别连接到所述第一MOS开关管的源极和漏极；两个MOS电容管的源极共连至地；两个MOS电容管的漏极均接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州云芯微电子科技有限公司，未经苏州云芯微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310040780.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种信号接收方法及终端
- 下一篇：基于热敏电阻的单相整流器软上电电路
