[发明专利]具有埋入式栅极的半导体器件及其形成方法

摘要

本发明公开具有埋入式栅极的半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：第一层间绝缘层，其位于半导体基板的第一区域和第二区域中；第二层间绝缘层，其位于第一区域和第二区域中的所述第一层间绝缘层上方；硬掩模，其设置在所述第二区域中的所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层之间且不延伸到所述第一区域；第一金属触点，其形成为贯穿所述第二区域中的第二层间绝缘层和硬掩模；以及第一存储节点触点，其形成为贯穿所述第一区域中的第一层间绝缘层。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：（a）在半导体基板的第一区域和第二区域中设置第一层间绝缘层；（b）将所述第一区域中的所述第一层间绝缘层图案化以形成第一存储节点触点；（c）将所述第二区域中的所述第一层间绝缘层图案化以形成与第二区域中的栅极相连的第一金属触点；（d）在所述第二区域中的所述第一层间绝缘层上方选择性地设置硬掩模图案；（e）（i）在所述第一区域中的所述第一层间绝缘层上方，以及（ii）在所述第二区域中的所述硬掩模图案上方，设置第二层间绝缘层；（f）将所述第二区域中的所述第二层间绝缘层和所述硬掩模图案图案化以形成与所述第一金属触点相连的第二金属触点；以及（g）将所述第一区域中的所述第二绝缘层图案化以形成与所述第一存储节点触点相连的第二存储节点触点。