[发明专利]薄膜太阳能电池中CIGS吸收层的基于金属的溶液处理有效
| 申请号： | 201310034021.0 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103811584A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 林志清;詹永平;童凯瑜;李承道 | 申请（专利权）人： | 台积太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C18/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造薄膜太阳能电池器件的方法包括在衬底上形成背部接触层，在背部接触层上形成CIGS吸收层，用基于金属的碱性溶液处理CIGS吸收层，以及在CIGS吸收层上形成缓冲层，其中，CIGS吸收层的处理改进CIGS吸收层和缓冲层之间的粘附性，而且还改进CIGS吸收层/缓冲层界面处的p-n结的质量。本发明还提供了薄膜太阳能电池中CIGS吸收层的基于金属的溶液处理。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 cigs 吸收 基于 金属 溶液 处理 | ||
【主权项】：
一种用于制造薄膜太阳能电池器件的方法，包括以下步骤：(a)在衬底上形成背部接触层；(b)在所述背部接触层上形成CIGS吸收层；(c)用基于金属的溶液处理所述CIGS吸收层；以及(d)在所述CIGS吸收层上形成缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
