[发明专利]硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺有效
| 申请号： | 201310033818.9 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103963375A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 冯异;陆宁 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/01 | 分类号： | B32B15/01;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/02 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 215617 江苏省张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺，其中硅片背面金属化共晶结构，包括设置在硅片上的Ti金属层、设置在Ti金属层上的Ni金属层、以及设置在Ni金属层上的Au-Sn合金共晶金属层。本发明通过多层金属代替单层的金砷合金或者纯金来作为硅片背面的金属镀层，能与硅片形成良好的欧姆接触；同时通过Sn-Au合金蒸发来产生共晶合金，具有无毒、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 背面 金属化 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
硅片背面金属化共晶结构，其特征在于：包括设置在硅片(1)上的Ti金属层(2)、设置在Ti金属层(2)上的Ni金属层(3)、以及设置在Ni金属层(3)上的Au‑Sn合金共晶金属层(4)。
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