[发明专利]一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术有效
| 申请号： | 201310033588.6 | 申请日： | 2013-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103060740A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 向勇;闫宗楷;朱焱麟;常小幻 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C4/12 | 分类号： | C23C4/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610017 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术，属于等离子体镀膜领域，该技术可以有效解决镀膜领域存在的镀膜温度过高会损坏基底及制备工艺复杂的问题，其步骤包括：a、在放电管中通电击穿低温等离子体过程，由气体源通入的气体在加有激励源的电源的作用下达到击穿电压，并导通放电激发产生低温等离子体；b、粉体材料导入过程，送入的粉体材料在低温等离子体的作用下局部温度升高融化并加速；c、低温等离子体喷出镀膜实现过程，粉体材料与低温等离子体一起喷出，沉积在基底表面实现镀膜。可广泛应用于印制电子、3D打印等领域金属材料、半导体材料、化合物材料和多聚物等材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大气 辉光 放电 低温 等离子体 镀膜 技术 | ||
【主权项】：
一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术，其特征在于：步骤包括：a、在放电管中通电击穿低温等离子体过程，由气体源通入的气体在加有激励源的电源的作用下达到击穿电压，并导通放电激发产生低温等离子体；b、粉体材料导入过程，送入的粉体材料在低温等离子体的作用下局部温度升高融化并加速；c、低温等离子体喷出镀膜实现过程，粉体材料与低温等离子体一起喷出，沉积在基底表面实现镀膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
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C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
