[发明专利]一种基于有序纳米线阵列的气敏元件制备方法有效
| 申请号： | 201310032316.4 | 申请日： | 2013-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103101877A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 岳双林 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于有序纳米线阵列的气敏元件制备方法。本方法为：1)在基片上制备一阵列结构图形；2)在制备有所述阵列结构图形的基片上制备一金属层，然后对所述金属层进行剥离处理，得到金属催化剂阵列；3)将制备有所述金属催化剂阵列的基片和气敏元件的纳米线所需金属置于反应室内，制备金属纳米线阵列；4)在所述金属纳米线阵列上方套刻测试用电极，制备所需气敏元件。本发明的气敏元件更有利于从材料本征气敏特性方面分析气敏机理、稳定性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 有序 纳米 阵列 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于有序纳米线阵列的气敏元件制备方法，其步骤为：1)在基片上制备一阵列结构图形；2)在制备有所述阵列结构图形的基片上制备一金属层，然后对所述金属层进行剥离处理，得到金属催化剂阵列；3)将制备有所述金属催化剂阵列的基片和气敏元件的纳米线所需金属置于反应室内，制备金属纳米线阵列；4)在所述金属纳米线阵列上方套刻测试用电极，制备所需气敏元件。
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