[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置有效
申请号: | 201310031370.7 | 申请日: | 2013-01-28 |
公开(公告)号: | CN103107134A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 徐传祥;姚琪;齐永莲;陆金波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置,方法步骤包括:提供一基板,在基板上形成第一导电薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;进而形成金属薄膜,通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案;进而形成半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;进而形成栅极绝缘层薄膜,通过构图工艺形成包括栅极绝缘层和过孔的图案;在形成上述图案的基板上形成第二导电薄膜,通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案。在基板的同一层同步形成TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极,源电极和漏电极之间形成半导体层,该过程可控性好,工艺性能稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,步骤如下:步骤1、提供一基板,在所述基板上形成第一导电薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图案;步骤2、在形成上述图案的所述基板上形成金属薄膜,通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案;步骤3、在形成上述图案的所述基板上形成半导体层薄膜,通过构图工艺形成包括半导体层的图案;步骤4、在形成上述图案的所述基板上形成栅极绝缘层薄膜,通过构图工艺形成包括过孔的栅极绝缘层图案;所述过孔的位置对应于所述栅电极线和所述公共电极线的位置,所述过孔露出部分所述栅电极线和公共电极线;步骤5、在形成上述图案的所述基板上形成第二导电薄膜,通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案;所述栅电极能过部分所述过孔与所述栅电极线连接,所述公共电极通过部分所述过孔与所述公共电极线连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310031370.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光学部件及其用途
- 下一篇:电子测试系统与相关方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造