[发明专利]形成叠层封装结构的方法有效

专利信息
申请号: 201310028297.8 申请日: 2013-01-24
公开(公告)号: CN103839894B 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 吕俊麟;刘明凯;吴凯强;杨青峰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98;H01L21/58;H01L21/56
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种方法,包括将半导体管芯附接在晶圆的第一面上,将第一顶部封装件附接在晶圆的第一面上以及将第二顶部封装件附接在晶圆的第一面上。方法进一步包括将封装层沉积在晶圆的第一面上方,其中,第一顶部封装件和第二顶部封装件嵌入到封装层中,对晶圆的第二面施加减薄工艺,将晶圆切割成多个芯片封装件以及将芯片封装件附接至衬底。本发明还提供了形成叠层封装结构的方法。
搜索关键词: 形成 封装 结构 方法
【主权项】:
一种形成叠层封装结构的方法,包括:将半导体管芯附接在晶圆的第一面上;将第一顶部封装件附接在所述晶圆的所述第一面上;将第二顶部封装件附接在所述晶圆的所述第一面上;在所述晶圆的所述第一面上方沉积封装层,所述第一顶部封装件和所述第二顶部封装件嵌入到所述封装层中;对所述晶圆的第二面施加减薄工艺直到暴露出所述晶圆的通孔的内嵌端部;在对所述晶圆的所述第二面施加所述减薄工艺的步骤之后,在所述晶圆的所述第二面上方形成再分布层,其中,所述再分布层与所述晶圆的通孔直接接触,并且所述再分布层的边缘延伸越过所述通孔的对应的边缘;将切割带附接在所述晶圆的所述第二面上,其中,所述再分布层与所述切割带直接接触;对所述晶圆施加切割工艺,直到所述切割带的一部分在所述切割工艺期间被去除,其中,在对所述晶圆施加所述切割工艺之后,所述晶圆被切割成多个芯片封装件;以及将所述芯片封装件附接至衬底。
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