[发明专利]镶嵌间隙结构

摘要

本文提供了一种或多种用于形成镶嵌间隙结构的技术或系统。在一些实施例中，在第一蚀刻终止层(ESL)和ESL密封区域之间形成间隙。例如，通过去除氧化物区域之上的低k(LK)介电区域的一部分和去除氧化物区域来形成间隙。在一些实施例中，至少因为氧化物区域增强了LK介电区域底部的底部蚀刻速率，使得LK介电区域之下的氧化物区域有助于LK介电区域的去除，从而底部蚀刻速率与LK介电区域侧壁的侧壁蚀刻速率相似。以这种方式，例如提供了与更干净的间隙有关的镶嵌间隙结构。

主权项

一种镶嵌间隙结构，包括：第一蚀刻终止层(ESL)；氧化物区域，位于所述第一ESL之上；低k(LK)介电区域，位于所述氧化物区域之上；第二ESL，位于所述LK介电区域之上；第一ESL密封区域，位于所述第二ESL之上；第二ESL密封区域，与所述第二ESL齐平；间隙，位于所述第一ESL和所述第二ESL密封区域之间；第一金属线，位于所述间隙的第一侧，所述第一金属线形成在所述第二ESL或所述第二ESL密封区域中的至少一个的下方，所述第一金属线被形成为穿过所述第一ESL；以及第二金属线，位于所述间隙的第二侧，所述第二金属线形成在所述第二ESL或所述第二ESL密封区域中的至少一个的下方，所述第二金属线被形成为穿过所述第一ESL。