[发明专利]一种具有双面异质结结构的太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201310025860.6 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103077993A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;史铁林;谭先华;盛文军;孙博;江婷 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双面异质结结构的太阳能电池，其中该双面异质结结构包括：基底（3），生长或刻蚀在该基底（3）上的微米管（2），其特征在于，所述微米管（2）的内管壁和外管壁表面均生长或刻蚀有纳米线（1）。本发明还公开了一种双面异质结结构的制备方法，包括：制作基底（3）；在所述基底（3）上生长或刻蚀微米管（2）阵列；在上述微米管（2）的内管壁和外管壁表面均生长或刻蚀纳米线（1）。本发明还公开了一种具有上述异质结结构的太阳能电池。本发明的异质结结构可极大地增加表面积，从而具有很好的光吸收特性和疏水特性，具有该结构的太阳能电池具有良好的自清洁能力，并能够大幅度提高发电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双面 异质结 结构 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双面异质结结构的太阳能电池，其中，该双面异质结结构包括：基底（3）；生长或刻蚀在该基底（3）上的微米管（2）；其特征在于，所述微米管（2）的内管壁和外管壁表面均生长或刻蚀有纳米线（1）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
