[发明专利]试管芋脱毒快速繁殖的方法

摘要

本发明公开了一种试管芋脱毒快速繁殖的方法，以健康芋的顶芽或腋芽为外植体，经过丛芽分化、茎尖分生组织培养、芋花叶病毒检测、继代增殖、生根、诱导形成脱毒试管芋。本发明通过茎尖脱毒培养进行试管芋的繁殖，成功消除了严重危害芋生产的芋花叶病毒，解决了芋因病毒病而引起的芋种性退化问题，提高了芋的品质及产量。脱毒试管芋繁殖系数高、生产周期短，有利于芋新品种的推广应用。脱毒试管芋体积小，重量轻，便于运输和贮存。脱毒试管芋是在人工控制条件下进行规模化生产，不受自然气候条件的影响，可周年生产，及时为生产提供规格整齐一致的优质无病种苗。脱毒试管芋育苗简单，成活率高，可达95%以上。

主权项

一种试管芋脱毒快速繁殖的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）丛芽分化：选取健康芋的顶芽或腋芽为外植体，剥去外层鳞片，接种于芋丛芽分化培养基上进行培养，所述丛芽分化培养基为3/4MS培养基、添加6‑苄氨基嘌呤0.5～3.0mg/L、萘乙酸0.5～1.0mg/L、蔗糖30g/L和琼脂5～6g/L，pH值为5.8～6.0，培养温度为26～28℃，光照强度为1500～2000 lx，每天光照8～10h，直至生长成单芽或丛芽；2）茎尖分生组织培养脱毒：从步骤1）中诱导的单芽或丛芽上切取0.3～0.5mm的茎尖分生组织接种于茎尖分化培养基上培养，所述茎尖分化培养基为3/4MS培养基、添加6‑苄氨基嘌呤0.5～2.0mg/L、萘乙酸0.1～0.5mg/L、蔗糖30g/L和琼脂5～6g/L，pH值为5.8～6.0，培养温度26～28℃，光照强度为1500～2000 lx，每天光照8～10h，直至生长出单芽或丛芽； 3）芋花叶病毒检测：对芋茎尖分生组织分化的单芽或丛芽进行芋花叶病毒的检测，反应值与阴性值较接近的为阴性，反应值高于阴性值两倍的为阳性；4）继代增殖：将阴性反应的单芽或丛芽转接到继代增殖培养基上进行继代增殖培养，所述继代增殖培养基为3/4MS培养基、添加6‑苄氨基嘌呤0.5～5.0mg/L、萘乙酸0.5～2.0mg/L、活性炭3.0～5.0g/L、蔗糖30g/L和琼脂5～6g/L，pH值为5.8～6.0，培养温度26～28℃，光照强度为1500～2000 lx，每天光照8～10h，直至生长出新的丛芽；5）生根：将脱毒芋的丛芽分割成单芽，转接到生根培养基上诱导生根，所述生根培养基为2/3MS培养基、添加6‑苄氨基嘌呤0.5～1.0mg/L、萘乙酸0.1～0.5mg/L、活性炭3.0～10.0g/L、蔗糖30～50g/L和琼脂5～6g/L，pH值为5.8～6.0，培养温度26～28℃， 光照强度为1500～2000 lx，每天光照8～10h，直至生根形成试管苗；6）诱导试管芋：生根培养后，将试管苗接于试管芋诱导培养基上生长，所述试管芋诱导培养基为MS培养基、添加6‑苄氨基嘌呤0.5～1.0mg/L、活性炭3.0～10.0g/L、蔗糖30～100g/L和琼脂5～6g/L，pH值为5.8～6.0，培养温度为26～28℃，光照强度为1500～2000 lx，每天光照8～10h，20~30天后即可形成脱毒试管芋。