[发明专利]推测缺陷部判断设备、推测缺陷部判断方法、半导体器件的制造方法和程序无效
申请号: | 201310022692.5 | 申请日: | 2013-01-22 |
公开(公告)号: | CN103227122A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 出羽恭子;平田达司郎;涩木俊一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/304 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种推测缺陷部判断设备、推测缺陷部判断方法、半导体器件的制造方法和程序,所述推测缺陷部判断设备包括:计算操作部,其用于将表示半导体器件表面上的级差分布的级差数据中所包括的级差沿所述级差的深度方向分割为两个以上单位级差,并确定在通过所述分割获得的每个所述单位级差的上表面的级差位置处的等高线的高度和由所述等高线围绕的开口的面积之间的关系,以判断存在或不存在推测缺陷部。通过本发明,不仅考虑级差值,而且考虑级差的形状来进行推测缺陷部的判断。如果使用判断结果而采取合适的措施,则在研磨之后可制造出高度平坦的半导体器件,进而可预期半导体器件的质量改善。 | ||
搜索关键词: | 推测 缺陷 判断 设备 方法 半导体器件 制造 程序 | ||
【主权项】:
一种推测缺陷部判断设备,其包括:计算操作部,其用于将表示半导体器件表面上的级差分布的级差数据中所包括的级差沿所述级差的深度方向分割为两个以上单位级差,并确定在通过所述分割获得的每个所述单位级差的上表面的级差位置处的等高线的高度以及由所述等高线围绕的开口的面积之间的关系,以判断存在或不存在推测缺陷部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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