[发明专利]非易失性存储器件和存储器系统及其编程方法和控制方法有效
| 申请号： | 201310021664.1 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103219040B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 朴一汉;曹溶成;朴商秀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据示范性实施例，一种非易失性存储器件：第一存储单元，被配置成存储第一数据样式；第二存储单元，被配置成被使用编程电压编程；和，耦合编程控制单元。耦合编程控制单元可以被配置成执行用于验证第一存储单元是否被利用第一数据样式编程的验证操作。所述验证操作可以给第一存储单元提供对应于第一数据样式的验证电压。耦合编程控制单元可以被配置成当第一存储单元上的验证操作指示通过时结束编程第二存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 存储器 系统 及其 编程 方法 控制 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包含：第一存储单元，被配置成存储第一数据样式；第二存储单元，与第一存储单元相邻，且被配置成被使用编程电压编程；和耦合编程控制单元，该耦合编程控制单元被配置成执行用于验证第一存储单元是否被利用第一数据样式编程的验证操作，所述验证操作给第一存储单元提供对应于第一数据样式的验证电压，并且所述耦合编程控制单元被配置成当第一存储单元上的验证操作指示通过时结束对第二存储单元的编程，其中在对第二存储单元编程之后，执行第一存储单元的验证操作而不验证第二存储单元。
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