[发明专利]低电压能隙参考电路有效

专利信息
申请号: 201310021390.6 申请日: 2013-01-21
公开(公告)号: CN103885519A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 张竟宏;郭圳龙;吴清堂;吴忠政;郑仲皓 申请(专利权)人: 硅成积体电路股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人: 刘俊
地址: 中国台湾新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种低电压能隙参考电路,用以在低电压下操作,包括正温度系数电路单元、负温度系数电路单元以及负载单元,分别提供具有正温度系数特性的电流以及负温度系数特性的电流以流过负载单元,藉以在负载单元上产生较不受温度影响的稳定参考电压,其中正温度系数电路单元包括第一差讯运算放大器、第一、第二及第三晶体管、第一电阻、第一及第二二极管,而负温度系数电路单元包括第二差讯运算放大器、第四、第五及第六晶体管、第二电阻以及第三二极管,本发明具有可低于输入电源的单一稳定操作点,因此,能避免无法低压启动的问题。
搜索关键词: 电压 参考 电路
【主权项】:
一种低电压能隙参考电路,具有单一稳定操作点,并用以提供一参考电压,其特征在于,该低电压能隙参考电路包括:一正温度系数电路单元,用以提供具有正温度系数特性的一正温度系数电流,包括一第一差讯运算放大器、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第一电阻、一第一二极管以及一第二二极管,其中该第一晶体管、该第二晶体管及该第三晶体管的源极连接该输入电源,该第一晶体管、该第二晶体管及该第三晶体管的闸极并联连接至该第一差讯运算放大器的输出端,该第一晶体管的汲极连接该第一二极管的正端,该第二晶体管的汲极连接该第一电阻的一端,该第一电阻的一另一端连接该第二二极管的正端,而该第一二极管以及该第二二极管的负端为接地,且该第一晶体管的汲极进一步连接该第一差讯运算放大器的反相输入端,而该第二晶体管的汲极进一步连接该第一差讯运算放大器的非反相输入端;一负温度系数电路单元,用以提供具有负温度系数特性的一负温度系数电流,包括一第二差讯运算放大器、一第四晶体管、一第五晶体管、一第六晶体管、一第二电阻以及一第三二极管,其中该第四晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管的源极连接该输入电源,该第四晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管的闸极并联连接至该第二差讯运算放大器的输出端,该第四晶体管的汲极连接该第三二极管的正端,该第三二极管的负端为接地,该第五晶体管的汲极连接该第二电阻的一端,该第二电阻的一另一端为接地,且该第四晶体管的汲极进一步连接该第二差讯运算放大器的反相输入端,而该第五晶体管的汲极进一步连接该第二差讯运算放大器的非反相输入端;以及一负载单元,其中该负载单元的一端连接该第三晶体管的汲极及该第六晶体管的汲极,且该负载单元的一另一端为接地,且该负载单元的端电压为该参考电压。
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