[发明专利]一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法有效

专利信息
申请号: 201310020851.8 申请日: 2013-01-21
公开(公告)号: CN103058200A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 马文会;魏奎先;周继红;王统;张龙;谢克强;周阳;伍继君;杨斌;戴永年 申请(专利权)人: 昆明理工大学;云南宏盛锦盟企业集团有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明提供一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,经过下列步骤:往抬包内通入空气,再将矿热炉内的硅熔体释放到抬包内,对抬包内的硅熔体进行微波加热,保持硅熔体的炉外精炼温度进行炉外吹气、造渣精炼0.5~10h;待炉外精炼完毕后,进行渣硅分离,再进行浇注,即完成炉外精炼提纯工业硅熔体。通过上述炉外精炼过程,可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na、Mg在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质,同时可以为后续的工业硅提纯控制有效的成分,为冶金法制备太阳能级硅提供高品质的原料。本发明具备充分利用和节约能源、生产效率高、基建投资较少、环境无污染等特点。
搜索关键词: 一种 精炼 提纯 工业 硅熔体 方法
【主权项】:
一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法,其特征在于经过下列步骤:往抬包内通入空气,再将矿热炉内的硅熔体释放到抬包内,对抬包内的硅熔体进行微波加热,保持硅熔体的炉外精炼温度进行炉外吹气、造渣精炼0.5~10h;待炉外精炼完毕后,进行渣硅分离,再进行浇注,即完成炉外精炼提纯工业硅熔体。
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