[发明专利]一种工业硅炉外精炼提纯的方法

摘要

本发明涉及一种工业硅炉外精炼提纯的方法，在工业硅熔体从矿热炉释放到抬包之前，先向抬包中持续通入精炼气体，再释放硅熔体到抬包中进行炉外精炼。采用外置等离子体加热装置对抬包内的工业硅熔体进行加热，使工业硅熔体的炉外精炼温度控制在一定范围内，向抬包中加入精炼剂进行造渣精炼。通过上述炉外精炼过程，可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na、Mg等在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质，有效提高工业硅产品的品质，获得低硼磷、低金属杂质含量的高品质工业硅产品。本发明具备充分利用和节约能源、生产效率高、基建投资较少、环境无污染等特点。

主权项

一种工业硅炉外精炼提纯的方法，其特征在于经过下列各步骤：（1）先向抬包中持续通入压缩空气，再将矿热炉中纯度为98%的硅熔体释放到抬包中，同时利用等离子体对抬包内的硅水进行加热，其中等离子体的功率为60KW，并使工业硅熔体的温度保持在1600℃以上；（2）待步骤（1）升温完毕后，向抬包中加精炼剂，并通入精炼气体，进行炉外吹气、造渣精炼；（3）待步骤（2）精炼完毕后，进行渣硅分离，再进行浇注，即得到高纯度的工业硅。