[发明专利]一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310016601.7 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103014627A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李晓娜;郑月红;董闯 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 花向阳 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al三元非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。此薄膜材料具有如下通式：Fe(1-x-y)SixAly，其中：50at.%≤x≤70 at.%，1at.% ≤y≤11at.%，当(x+y)的总量从60 at.%到75 at.%变化时，薄膜的带隙宽度可以从0.45 eV调制到0.65eV，结构均为非晶态。该薄膜有如下优点：①Fe(1-x-y)SixAly薄膜是三元半导体非晶薄膜，可从0.45eV到0.65eV较大范围内调制带隙宽度，Al的作用不单可以影响带隙宽度，而且增加一个组元薄膜的非晶形成能力也会增加；②只要改变组合溅射靶中Fe4Alz合金片的个数和z值，即可方便地调整薄膜中(Si+Al)的总量，进而获得不同带隙宽度；③薄膜保持非晶态，能够保证成分和性能均匀，有效回避晶态薄膜制备中的晶格失配以及多相混杂等问题。适宜制造近红外探测器等窄带隙半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制 宽度 fe si al 三元 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可调制带隙宽度的Fe‑Si‑Al系三元非晶薄膜，其特征在于：具有如下通式： Fe(1‑x‑y)SixAly，其中：50at.%≤x≤70 at.%，1at.% ≤y≤11at.%，当60 at.% ≤ (x+y) ≤75 at.%时，该非晶薄膜材料的带隙宽度从0.45 eV增加到0.65eV，薄膜结构始终为非晶态。
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