[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201310012874.4 申请日: 2013-01-14
公开(公告)号: CN103107217A 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 王智浩;刘文;左强;孙堂友;官成钢;徐智谋;赵彦立 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 方放
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种薄膜太阳能电及其制作方法,属于太阳能利用技术领域,解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片,由衬底层、光吸收层和覆盖层构成,覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤;本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤;本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高,适合工业化量产。
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池片,自下而上由衬底层、光吸收层和覆盖层构成,其特征在于:所述覆盖层上表面或衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱,或者所述覆盖层上表面和衬底层下表面均随机分布多个纳米孔或多个纳米柱;所述纳米孔孔径或纳米柱柱径为40nm~300nm,纳米孔之间的孔距或纳米柱之间的柱距为80nm~400nm;所述多个纳米孔或多个纳米柱基于多孔氧化铝的原始图形,采用电感耦合等离子体反应离子刻蚀图形转移工艺而制得;或者结合纳米压印和电感耦合等离子体反应离子刻蚀图形转移工艺而制得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310012874.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top