[发明专利]钼基低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310012314.9 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103044025A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 汪宏;郭靖;周迪;张高群 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钼基低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法。其以具有四方白钨矿结构的ABO4型钼基介质材料为基础，根据谐振频率温度系数的变化规律，通过一三价离子联合取代二价离子的方式形成ABO4型固溶体，其配方表达式为：(A'0.5Bi0.5)1-xA″xMoO4，A'为Na1+或K1+；A″为Ca2+，Sr2+或Ba2+；0.10≤x≤0.95。该陶瓷材料是一种不需要添加任何助烧剂就可以在低温下烧结的、谐振频率温度系数（TCF）接近零的可应用于LTCC技术的高性能微波介质陶瓷材料，其最低烧结温度可以达到650°C、最小TCF值可以达到2.4ppm/°C。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 温度 稳定 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钼基低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料，其特征在于，配方表达式为：(A'0.5Bi0.5)1‑xA″xMoO4，其中A'为Na1+或K1+；A″为Ca2+，Sr2+或Ba2+；0.10≤x≤0.95。
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