[发明专利]一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310011755.7 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103022898A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 史志锋;杜国同;张宝林;张源涛;李万程;董鑫 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/347 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法。其芯片由硅衬底、近本征的ZnO发光层、n型的MgZnO电流注入层和半透明的电极层构成；硅衬底背面沉积有欧姆接触电极层。MgZnO薄膜既作为电子注入层，又作为发射光的透明窗口层。其特征在于，在硅衬底和近本征的ZnO发光层之间引入图形化的SiO2电流限制层，该电流限制层可以大大降低激光器的阈值电流，提高器件的光电转换效率。本发明方法可以制备低阈值的电泵浦激光器件，并且可与成熟的硅器件工艺兼容，成本较低，进一步拓展了器件的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 zno 阈值 电泵浦 随机 激光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件，其芯片依次由硅衬底背面沉积的欧姆接触电极层（6）、硅衬底（1）、近本征的ZnO发光层（3）、n型的MgZnO电子注入层（4）和半透明的Au电极构成；其特征在于，在硅衬底（1）和近本征的ZnO发光层（3）之间引入具有圆形窗口阵列（7）的SiO2电流限制层（2）；半透明的Au电极为正方形电极阵列（5），每个正方形电极的中心与SiO2电流限制层（2）上圆形窗口的中心相对应。
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