[发明专利]对硅片表面进行制绒的方法、硅片以及太阳能电池在审
| 申请号： | 201310011065.1 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103928565A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴鑫 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/04;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对硅片表面进行制绒的方法、硅片以及太阳能电池。其中，对硅片表面进行制绒的方法包括：在硅片的上表面和下表面之一形成掩膜，以便获得具有掩膜的硅片；以及将具有掩膜的硅片浸入制绒液中，保持预定的时间，其中，制绒液与硅和掩膜均可以发生反应，以便在硅片的上表面和下表面均形成绒面。利用该方法可以有效地在硅片的上表面和下表面均形成绒面。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 表面 进行 方法 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种对硅片表面进行制绒的方法，其特征在于，包括：在所述硅片的上表面和下表面之一形成掩膜，以便获得具有掩膜的硅片；以及将所述具有掩膜的硅片浸入制绒液中，保持预定的时间，其中，所述制绒液与硅和掩膜均可以发生反应，以便在所述硅片的上表面和下表面均形成绒面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
