[发明专利]一种NOR闪存器件的退火工艺及NOR闪存器件在审
| 申请号： | 201310010804.5 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103077927A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王辉;黄兆兴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NOR闪存器件的退火工艺，该工艺包括在形成阱区的过程中，以变温的方式退火，具体为将温度以从950℃降至750℃，且以较慢优选为2.5℃/Min的速度降低温度。本发明还公开了一种采用该工艺制作的闪存器件。该发明通过单步工艺优化就能大幅度降低NOR闪存器件的静态工作电流，从而大幅度地降低NOR闪存器件的失效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nor 闪存 器件 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种NOR闪存器件的退火工艺，包括：在半导体衬底上形成阱区，对所述阱区进行退火，其特征在于，所述退火是变温退火，即是在退火气氛下，将温度从900‑1000℃中的某一温度降至700‑800℃中的某一温度，完成对所述阱区的退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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